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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110067203.2，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装是由严柱日;李承烨设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括层叠的半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了：本申请公开了包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括：基板；设置在基板上方的子半导体封装，该子半导体封装包括子半导体芯片、子模制层和重分布导电层，在子半导体芯片的面向基板的有效表面上具有芯片焊盘，子模制层围绕子半导体芯片的侧表面，子模制层具有面向基板的表面，重分布导电层连接到芯片焊盘并在子模制层的所述表面下方延伸；信号子互连器，其具有连接到信号重分布焊盘的上表面以及连接到基板的下表面；电源子互连器，其具有连接到电源重分布焊盘的上表面以及连接到基板的下表面；以及形成在子半导体封装上方并电连接到基板的至少一个主半导体芯片。

本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，该半导体封装包括： 基板； 设置在所述基板上方的子半导体封装，该子半导体封装包括子半导体芯片、子模制层和重分布导电层，在所述子半导体芯片的面向所述基板的有效表面上具有芯片焊盘，所述子模制层围绕所述子半导体芯片的侧表面，所述子模制层具有面向所述基板的表面，所述重分布导电层连接到所述芯片焊盘并且在所述子模制层的所述表面下方延伸，其中，所述重分布导电层包括信号重分布导电层和电源重分布导电层，所述信号重分布导电层朝着所述子模制层的边缘延伸，所述信号重分布导电层在其端部具有信号重分布焊盘，所述电源重分布导电层的长度比所述信号重分布导电层的长度短，所述电源重分布导电层在其端部具有电源重分布焊盘； 信号子互连器，该信号子互连器具有连接到所述信号重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面； 电源子互连器，该电源子互连器具有连接到所述电源重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面；以及 至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装上方并且电连接到所述基板， 其中，所述芯片焊盘沿着所述子半导体芯片在第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘并且沿着所述子半导体芯片在第二方向上的第三侧边缘和第四侧边缘设置，所述第二方向垂直于所述第一方向， 其中，所述信号重分布焊盘包括设置在所述子模制层在所述第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘处的多个信号重分布焊盘， 其中，所述信号重分布导电层包括多个信号重分布导电层， 其中，连接到设置在所述子半导体芯片的所述第一侧边缘和所述第三侧边缘处的所述芯片焊盘的所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层的所述第一侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸，并且 其中，连接到设置在所述子半导体芯片的所述第二侧边缘和所述第四侧边缘处的所述芯片焊盘的所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层的所述第二侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸。

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