日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110192239.3，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体结构及其制造方法，先在线路基板上形成电连接件，再以转印方式在重布线层上的承印层定义出导通孔的预定位置，并在此预定位置上重新配置电连接层，将包含电连接件的线路基板与包含电连接层的重布线层进行接合，电连接层通过回流焊与电连接件进行电性连接。通过准确地定义出重布线层与线路基板之间的电性接点处，实现重布线层与线路基板的电性连接。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 重布线层； 绝缘连接层，设于所述重布线层上，所述绝缘连接层设有导通孔，所述导通孔上设有电连接层； 线路基板，设于所述绝缘连接层上，所述线路基板包括线路层、电子组件、第一电连接件、第二电连接件，所述电子组件设于所述第一电连接件上，所述线路层设于所述第二电连接件上，所述线路层设于所述电子组件上； 所述线路基板嵌设于粘合层，所述粘合层嵌设于所述绝缘连接层，所述第一电连接件与所述电连接层电连接，所述第二电连接件与所述电连接层电连接。
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