长鑫存储技术有限公司李雄获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利OTP存储器及其制造方法、OTP电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110444444.4，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权OTP存储器及其制造方法、OTP电路是由李雄;朱黄霞;冯鹏设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本OTP存储器及其制造方法、OTP电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种OTP存储器及其制造方法、OTP电路，通过OTP存储器中的存储单元使用两个串联二极管作为熔断的结构，从而减少了存储单元的体积、减少整个OTP存储器的体积，进而提高了存储单元以及OTP存储器的集积度。
本发明授权OTP存储器及其制造方法、OTP电路在权利要求书中公布了：1.一种OTP存储器，其特征在于，包括： 第一有源区、第二有源区，以及设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的隔离区；所述第一有源区为P型阱，所述第二有源区为N型阱； 所述第一有源区上设置有第一扩散区，用于连接第一连接线；所述第一扩散区为N型扩散区； 所述第二有源区上设置有第二扩散区，用于连接第二连接线；所述第二扩散区为N型扩散区； 其中，所述第一有源区和所述第一扩散区构成第一二极管；所述第一有源区和所述第二有源区构成第二二极管； 所述第一二极管的击穿电压，小于所述第二二极管的击穿电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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