京东方科技集团股份有限公司;京东方光科技有限公司;苏州大学周云获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;京东方光科技有限公司;苏州大学申请的专利一种超宽带吸收器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113219568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110572266.3，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种超宽带吸收器及制备方法是由周云;陆平英;孟德宇;陈华锋;张恒;武荣风;詹智诚设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超宽带吸收器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及制备技术领域，具体而言，公开了一种超宽带吸收器及制备方法，该超宽带吸收器包括基底，基底上设置有第一介质层，第一介质层背离基底的一侧形成凸起结构阵列，凸起结构阵列背离所述基底的一侧依次设置有第一金属层、第二介质层和第二金属层。本发明实现可见光至红外波段超宽带的双向广角高效吸收，在400nm‑4000nm波段范围内，电磁波吸收结构上表面平均吸收效率大于92％，下表面平均吸收接近85％；角度宽容性大，在入射角为60°时，仍能保持良好的双向吸收性能，上表面平均吸收大于92％，下表面平均吸收大于80％。该装置结构简单，便于大规模、批量化生产，且易与光电子器件集成，在显示、太阳能电池、热光伏等领域有广泛应用。
本发明授权一种超宽带吸收器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超宽带吸收器，其特征在于，包括基底，所述基底上设置有第一介质层，所述第一介质层背离所述基底的一侧形成凸起结构阵列，所述凸起结构阵列背离所述基底的一侧依次设置有第一金属层、第二介质层和第二金属层； 相邻两所述凸起结构阵列上的相邻两所述第二金属层之间相互靠近的一面互相抵接； 所述凸起结构的形状为半椭球体、圆锥体、圆台体、三棱锥体或四棱锥体； 在400nm-4000nm的波段范围内，所述超宽带吸收器上表面平均吸收效率为92%，下表面平均吸收率为81%。
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