株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社可知刚获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835834.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由可知刚设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式涉及一种半导体装置，具备：第1电极；与上述第1电极连接的第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层上的上述第1导电型的第2半导体层；设置在上述第2半导体层上的第2导电型的第3半导体层；设置在上述第3半导体层上的上述第1导电型的第4半导体层；与上述第3半导体层以及上述第4半导体层连接的第2电极；从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层延伸且与上述第3半导体层相邻的栅极；沿着从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层的方向上延伸且与上述第2半导体层相邻的场板电极；以及设置在上述场板电极与上述第2半导体层之间且从下端到上述场板电极的下端的第1距离比到上述第1半导体层的第2距离长的第1绝缘膜。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1电极； 第1导电型的第1半导体层，与上述第1电极连接； 上述第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，杂质浓度比上述第1半导体层的杂质浓度低； 第2导电型的第3半导体层，设置在上述第2半导体层上； 上述第1导电型的第4半导体层，设置在上述第3半导体层上； 第2电极，与上述第3半导体层以及上述第4半导体层连接； 栅极，从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层延伸，与上述第3半导体层相邻； 场板电极，沿着从上述第4半导体层朝向上述第2半导体层的方向延伸，并延伸至比上述栅极靠下方的位置，与上述第2半导体层相邻；以及 第1绝缘膜，设置在上述栅极与上述第3半导体层之间、上述场板电极与上述第2半导体层之间、以及上述栅极与上述场板电极之间，从下端到上述场板电极的下端的第1距离比从下端到上述第1半导体层的第2距离长， 上述第1距离比上述场板电极的侧面与上述第1绝缘膜的侧面之间的第3距离大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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