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龙图腾网获悉亿而得微电子股份有限公司申请的专利高写入效率的反熔丝阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111229153.X，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权高写入效率的反熔丝阵列是由黄郁婷;吴其沛设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本高写入效率的反熔丝阵列在说明书摘要公布了：本发明公开一种高写入效率的反熔丝阵列，其包含至少一子存储器阵列，子存储器阵列具有并排配置于相邻的两条位线之间的两个反熔丝记忆晶胞，两个反熔丝记忆晶胞的反熔丝晶体管皆包含具有一个以上的尖角重叠于第一闸极介电层上的反熔丝闸极，且两个反熔丝记忆晶胞的选择晶体管的第二闸极介电层彼此连接，使得两个反熔丝记忆晶胞可连接到不同位线，并连接到相同选择线和相同字线。本发明利用源极接点共用及两个选择晶体管共用一个通道的配置方式，不但可稳固源极架构，同时可增大选择晶体管的通道宽度，而增加写入效率，且没有增加整体布局面积。

本发明授权高写入效率的反熔丝阵列在权利要求书中公布了：1.一种高写入效率的反熔丝阵列，其特征在于，包含： 多条平行的位线，在一第一方向上延伸，并包含相邻的一第一位线和一第二位线； 多条平行的字线，在不同于该第一方向的一第二方向上延伸，且与该多条位线互相垂直，并包含一第一字线； 多条平行的选择线，在该第二方向上延伸，而与该多条字线互相平行，并包含一第一选择线；以及 至少一子存储器阵列，该子存储器阵列包含一第一反熔丝记忆晶胞和一第二反熔丝记忆晶胞，该第一反熔丝记忆晶胞包含：一第一反熔丝晶体管，连接该第一位线；及一第一选择晶体管，串联连接至该第一反熔丝晶体管，并连接至该第一字线以及该第一选择线；该第二反熔丝记忆晶胞包含：一第二反熔丝晶体管，连接至该第二位线；及一第二选择晶体管，串联连接至该第二反熔丝晶体管，并连接至该第一字线以及该第一选择线；该第一、第二反熔丝记忆晶胞在该第二方向上彼此相邻，且位于该第一位线和该第二位线之间； 其中，该第一反熔丝晶体管与该第二反熔丝晶体管皆包括一第一闸极介电层和一反熔丝闸极，该反熔丝闸极具有一个以上的尖角重叠于该第一闸极介电层上，该第一选择晶体管与该第二选择晶体管皆包括一第二闸极介电层，每一该第二闸极介电层彼此连接； 该反熔丝闸极下方具有一第一通道区，该第一选择晶体管与该第二选择晶体管共用一第二通道区，该第二通道区的宽度大于该第一通道区的宽度； 该第一反熔丝记忆晶胞和该第二反熔丝记忆晶胞设置于该第一位线和该第二位线之间； 该第一闸极介电层与该第二闸极介电层彼此连接。

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