长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111296771.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由郭帅设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法、存储器。其中，半导体结构包括：衬底；位线层，位于所述衬底内；字线堆叠层，位于所述衬底上，所述字线堆叠层包括字线层；间隙，位于所述位线层与所述字线层之间。本公开实施例能够减少位线间寄生电容。
本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 衬底； 位线层，位于所述衬底内； 字线堆叠层，位于所述衬底上，所述字线堆叠层包括字线层；第一绝缘层，位于所述位线层之上；第二绝缘层，位于所述字线层之下；介质层，位于所述字线层上； 晶体管，所述晶体管包括依次堆叠于所述位线上的源极、沟道区和漏极，所述源极贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述沟道区贯穿所述字线层，所述漏极贯穿所述介质层，所述源极连接所述位线；间隙，所述间隙位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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