中国科学院半导体研究所周代兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利窄线宽大功率激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111357614.1，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权窄线宽大功率激光器及其制备方法是由周代兵;梁松;赵玲娟;王圩设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本窄线宽大功率激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种窄线宽大功率激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底；激光器区，形成于所述衬底上，所述激光器区两侧为放大器区和波长稳定区；激光区脊型波导，形成于所述激光器区上；放大器区锥形波导，形成于所述放大器区上；波长稳定区脊型波导，形成于所述波长稳定区上；以及所述激光器区、放大器区、波长稳定区及所述激光区脊型波导、放大器区锥形波导、波长稳定区脊型波导之间具有电隔离沟。本发明通过锥形放大器、波长稳定器及各功能区的电隔离沟，能够实现大功率、窄线宽和波长稳定控制的效果，对目前泵浦光源存在的问题提出了一种解决方案。
本发明授权窄线宽大功率激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种窄线宽大功率激光器，其特征在于，包括： 衬底； 激光器区，形成于所述衬底上，所述激光器区两侧为放大器区和波长稳定区； 激光区脊型波导，形成于所述激光器区上； 放大器区锥形波导，形成于所述放大器区上； 波长稳定区脊型波导，形成于所述波长稳定区上； 所述激光器区、放大器区、波长稳定区之间具有电隔离沟； 所述激光区脊型波导、放大器区锥形波导、波长稳定区脊型波导之间具有所述电隔离沟。
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