胜高股份有限公司木濑翔太获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利外延晶片的缺陷检查方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114624251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507360.7，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权外延晶片的缺陷检查方法是由木濑翔太设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延晶片的缺陷检查方法在说明书摘要公布了：提供一种能够识别滑移位错缺陷和失配位错缺陷的外延晶片的检查方法。在外延晶片（WF）中存在包含滑移位错缺陷以及失配位错缺陷的位错缺陷（DF）时，利用晶片应力测定而求得前述外延晶片的残留应力，在前述残留应力为既定值（S0）以上时，判定为前述滑移位错缺陷，在前述残留应力小于前述既定值（S0）时，判定为前述失配位错缺陷。
本发明授权外延晶片的缺陷检查方法在权利要求书中公布了：1.一种外延晶片的检查方法，当在外延晶片存在包含滑移位错缺陷以及失配位错缺陷的位错缺陷时，利用晶片应力测定而求得前述外延晶片的残留应力，所述晶片应力测定为，对前述外延晶片照射红外光并分析受到了应力的部分由于光弹性效果而产生的偏光状态变化，作为应变进行测定， 在前述残留应力为既定值以上时，判定为前述滑移位错缺陷，在前述残留应力小于前述既定值时，判定为前述失配位错缺陷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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