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龙图腾网获悉上海芯纬科技有限公司申请的专利一种用于电子雷管的储能电容保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111524538.9，技术领域涉及：H02H7/16；该发明授权一种用于电子雷管的储能电容保护电路是由周伟设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电子雷管的储能电容保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于电子雷管的储能电容保护电路，包括：第一支路，所述第一支路设有二极管D；和第二支路，所述第二支路设有电阻R0、电阻R1和耗尽型MOS管Q1；其中，所述第一支路与所述第二支路并联，所述电阻R0的一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的栅极，所述电阻R0的另一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的源极，所述电阻R1的一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的漏极，所述电阻R1的另一端连接于所述二极管D。

本发明授权一种用于电子雷管的储能电容保护电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电子雷管的储能电容保护电路，其特征在于，包括： 第一支路，所述第一支路设有二极管D；和 第二支路，所述第二支路设有电阻R0、电阻R1和耗尽型MOS管Q1，其中，所述第一支路与所述第二支路并联，所述电阻R0的一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的栅极，所述电阻R0的另一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的源极，Q1的源级同时连接于二极管D的正极，所述电阻R1的一端连接于所述耗尽型MOS管Q1的漏极，所述电阻R1的另一端连接于所述二极管D的负极；所述耗尽型MOS管Q1为N沟道耗尽型MOS管；所述电阻R0和所述N沟道耗尽型MOS管Q1与一个负电荷泵连接； 所述用于电子雷管的储能电容保护电路并联于电子雷管的储能电容C，分别与所述储能电容C的第一端和第二端电连接，其中，所述储能电容C的第一端连接于一个充电电路，所述储能电容C的第二端接地，所述储能电容C还进一步与一个点火放电电路并联，所述二极管D的正极连接于所述储能电容C的第二端，所述二极管D的负极连接于所述储能电容C的第一端； 若所述储能电容C带有第一端为正、第二端为负的电荷，这些电荷能够通过所述第二支路被泄放；若所述储能电容C带有第一端为负、第二端为正的电荷，这些电荷能通过所述第一支路被泄放； 当电子雷管处于未通电状态时，所述储能电容C上的电荷能够被泄放，因摩擦、电磁感应或松弛极化的因素在所述储能电容C上产生的电荷能够被及时泄放，从而保证所述储能电容C上的能量低于安全阈值； 所述负电荷泵直接连接于所述N沟道耗尽型MOS管Q1的栅极，所述电阻R0连接在所述N沟道耗尽型MOS管Q1的源极和所述负电荷泵之间。

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