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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114421641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111543858.9，技术领域涉及：H02J50/12；该发明授权一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法是由高士齐;尹毅明;傅旻帆;刘一鹏设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低辐射的电场耦合器，其特征在于，原边高压极板被副边低压极板所包裹，由副边低压极板对原边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果；副边高压极板被原边低压极板所包裹，由原边低压极板对副边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的电场耦合器的补偿电路设计方法。本发明用低压极板包裹住了高压极板，可以形成静电屏蔽效果，与外界环境隔离，极大降低辐射强度。同时本发明在补偿电路的设计上基于等效六电容模型设计了新的补偿电路，即对等效六电容模型进行谐振补偿，最终只留下相对较小容值的交叉互电容，极大地简化了电路的分析量。

本发明授权一种低辐射的电场耦合器及其补偿电路设计方法在权利要求书中公布了：1.一种如电场耦合器的补偿电路设计方法，所述电场耦合器包括原边高压极板、原边低压极板、副边高压极板以及副边低压极板，副边低压极板接地，原边低压极板上的电压接近于0，原边高压极板被副边低压极板所包裹，由副边低压极板对原边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果；副边高压极板被原边低压极板所包裹，由原边低压极板对副边高压极板所产生的高压辐射形成静电屏蔽效果，其特征在于，所述补偿电路设计方法包括以下步骤： 将电场耦合器等效为由原边高压极板与副边低压极板形成的等效自电容一、原边低压极板与副边高压极板形成的等效自电容二、原边高压极板与原边低压极板形成的等效互电容一、副边高压极板与副边低压极板形成的等效互电容二、原边高压极板与副边高压极板形成的交叉互电容一以及原边低压极板与副边低压极板形成的交叉互电容二组成的等效六电容模型； 等效自电容一的两端并联电容一以及电感L1，电容一的容值大于等效自电容一的容值，等效自电容一与电容一并联后再与电感L1相互谐振；电源提供的能量经由发射线圈输入等效六电容模型的原边，发射线圈的等效电感Ltx两端并联电容C1，等效电感Ltx与等效互电容一串联，电容C1的容值大于等效互电容一的容值，等效电感Ltx与电容C1并联后再与等效互电容一相互谐振； 等效自电容二的两端并联电容二以及电感L2，电容二的容值大于等效自电容二的容值，等效自电容二与电容二并联后再与电感L2相互谐振；等效六电容模型的副边输出的能量经由接收线圈记载到负载上，接收线圈的等效电感Lrx两端并联电容C2，等效电感Lrx与等效互电容二串联，电容C2的容值大于等效互电容二的容值，等效电感Lrx与电容C2并联后再与等效互电容二相互谐振。

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