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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111630451.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法是由盛况;钟浩;任娜;王珩宇设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法在说明书摘要公布了：碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey；根据公式计算刻蚀选择比。本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测更加精确，从而使碳化硅上的介质层相对于掩膜层的选择比刻蚀工艺调试结果更加具有可信度。

本发明授权碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法在权利要求书中公布了：1.碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1； 步骤S2：制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht； 步骤S3：基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy； 步骤S4：刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey，同时根据公式计算得到刻蚀后掩膜层厚度的评价函数MSEey； 步骤S5：根据公式计算刻蚀选择比； 所述评价函数MSE计算公式为： ； N=cos（2φ）； C=cos（2φ）cos（Δ）； S=sin（2φ）sin（Δ）； 其中，n为测量波长的数量；m为拟合参数的数量，E为测量点的数据；G为对应拟合点的数据；Δ和φ为通过光谱椭偏仪检测出的数据，Δ为相位变化，φ为振幅衰减； 所述步骤S1中的介质膜厚H1的评价函数MSE1的数值须小于20； 所述步骤S3中光谱椭偏仪测量得到的掩膜层厚度Hy与台阶仪测量得到掩膜厚度Ht满足公式： |Ht-Hy|Ht≤2%， 且掩膜层厚度Hy的评价函数的数值须小于20； 所述步骤S4中测得的刻蚀后掩膜层厚度Hey的评价函数MSEey的数值须小于20； 所述刻蚀选择比计算公式为：Het-Hey（Hy-Hey）。

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