买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114740322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210042436.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备是由但亚平;李凯;许以农设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备在说明书摘要公布了：本发明提出了一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备，包括：光源，用于照射低维纳米器件；电流检测单元，用于检测所述低维纳米器件在不同光强照射下产生的光电流，以及检测所述低维纳米器件在无光源照射下产生的暗电流；光强与电流关系获取单元，用于获取不同光强与相应光电流之间的关系；参数获取单元，用于根据所述光强与电流关系对已有的光照强度和纳米器件光电流之间关系的公式进行拟合从而获取参数和的值；以及计算单元，用于根据所述参数及其他已有公式计算获得低维纳米器件物理参数，所述物理参数包括少数载流子寿命τ0，表面复合速率Vsrv，耗尽区宽度，掺杂浓度以及迁移率。

本发明授权一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备在权利要求书中公布了：1.一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备，其特征在于，包括： 光源，用于照射低维纳米器件； 电流检测单元，用于检测所述低维纳米器件在不同光强照射下产生的光电流，以及检测所述低维纳米器件在无光源照射下产生的暗电流； 光强与电流关系获取单元，用于获取不同光强与相应光电流之间的关系； 参数获取单元，用于根据光强与电流关系对公式1进行拟合从而获取参数和的值， 计算单元，用于根据所述参数的值及公式2计算获得所述低维纳米器件的少数载流子寿命τ0， 所述计算单元还根据经验预设理想因子η和所述参数的值及公式3、4、6计算获得所述低维纳米器件的耗尽区宽度，掺杂浓度以及迁移率， Idark＝μppqEchHchWch4 上述公式中，Iph为纳米器件的光电流，Plight为光照强度，为耗尽区因光照缩小为零时的光生电流，即临界光电流，η为理想因子，该理想因子的范围为[1,2]，k为玻尔兹曼常数，T为温度，q为单位电荷，Vbio为无光照即暗场时表面电势，暗场表面电势与表面耗尽区宽度服从下列关系这里NA是掺杂浓度，εs是半导体的介电常数，Wdep为表面耗尽区宽度；为临界光强，即漏电流密度与耗尽区上的光电流密度相等时的光照强度，α为硅纳米线的光吸收系数，为光子的能量，H为纳米线物理高度，ni为本征半导体电子浓度；Idark为暗电流，Wch为纳米线沟道的宽度，Hch为纳米线沟道的厚度,Ach是导电沟道的横截面积，表达式是导电沟道横截面积对耗尽区宽度的导数，“||”表示对两竖线中间的变量取绝对值；μp为空穴迁移率，p为多子浓度，Ech为电场强度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。