台湾积体电路制造股份有限公司杨耀仁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060016.6，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质是由杨耀仁;张盟昇设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：一种方法包括接收设计规则组，设计规则组包括与有源区域相关联的宽度和间距的预定集合。该方法还包括提供包括具有相应有源区域的单元的单元库，其中有源区域的宽度和间距选自设计规则组的预定集合。该方法包括在设计布局中放置来自单元库的第一单元和第二单元。第一单元在第一方向上具有单元高度，并且第一单元具有在第一方向上具有第一宽度的第一有源区域。第二单元具有单元高度，并且第二单元具有在第一方向上具有第二宽度的第二有源区域。第二宽度不同于第一宽度。该方法还包括根据设计布局制造半导体器件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质。
本发明授权制造半导体器件的方法和非暂时性计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 接收设计规则组，所述设计规则组包括符合制造要求且与有源区域相关联的宽度和间距的离散数值的预定集合； 提供包括单元的单元库，所述单元具有相等的单元高度并且包括相应的有源区域，其中，所述有源区域的宽度和间距选自所述设计规则组的预定集合； 将来自所述单元库的第一单元放置在设计布局中，其中，所述第一单元在第一方向上具有单元高度，并且所述第一单元包括在所述第一方向上具有第一宽度的第一有源区域； 将来自所述单元库的第二单元放置在所述设计布局中，其中，所述第二单元具有与所述第一单元的所述单元高度相同的单元高度，并且所述第二单元包括在所述第一方向上具有第二宽度的第二有源区域，所述第二有源区域与所述第一有源区域在垂直于所述第一方向的第二方向上间隔布置，所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及 根据所述设计布局制造半导体器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号