长江存储科技有限责任公司陈阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210112076.8，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统是由陈阳;王迪;张中;周文犀设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统在说明书摘要公布了：本公开涉及一种三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统。该用于制造三维存储结构的方法包括：在衬底上形成叠层结构，其中，叠层结构包括通过堆叠第一材料层和第二材料层形成的多个堆叠层；在叠层结构中形成多个接触孔，接触孔自叠层结构远离衬底的一侧沿多个堆叠层的堆叠方向延伸，多个接触孔包括至少两组接触孔；延长每组接触孔中的至少一个，使同一组接触孔中的每个接触孔延伸至不同高度位置的第一材料层；延长至少一组的接触孔，使每组接触孔中的任一个接触孔与其他组接触孔中的任一个接触孔延伸至不同的高度位置；以及在接触孔中形成导电通道结构。
本发明授权三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种用于制造三维存储结构的方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成叠层结构，其中，所述叠层结构包括通过堆叠第一材料层和第二材料层形成的多个堆叠层； 在所述叠层结构中形成多个接触孔，所述接触孔自所述叠层结构远离所述衬底的一侧沿所述多个堆叠层的堆叠方向延伸，所述多个接触孔包括至少两组接触孔； 延长每组所述接触孔中的至少一个，使同一组所述接触孔中的每个所述接触孔延伸至不同高度位置的所述第一材料层； 延长至少一组的所述接触孔，使每组所述接触孔中的任一个接触孔与其他组所述接触孔中的任一个接触孔延伸至不同的高度位置； 以及在所述接触孔中形成导电通道结构； 形成贯穿所述衬底和所述叠层结构的虚拟沟道结构，沿平行于所述衬底表面的方向，所述虚拟沟道结构的贯穿所述衬底的部分的尺寸大于所述虚拟沟道结构的贯穿所述叠层结构的部分的尺寸；相邻的所述导电通道结构之间具有所述虚拟沟道结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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