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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210477893.3，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法是由陆海;金玉垒;周峰;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，栅源连通区域和漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层，每个第二栅极金属层上表面均设有对应的第二互联金属层，第二栅极金属层一侧超出其上表面对应的第二互联金属层的一侧形成阶梯场板结构。本发明通过在晶体管栅源和栅漏连通区域中均设置第二栅极金属层和第二互联金属层形成阶梯场板结构，利用该阶梯场板结构有效改善了晶体管在正向和反向偏置电压下的内部电场分布，从而提升了晶体管的击穿电压和减小漏电流；构成该阶梯场板结构的金属层和晶体管电极区域的金属层同时形成，制备方法简单。

本发明授权一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管自下而上依次包括衬底层（1）、氮化镓层（2）和铝镓氮层（3）；铝镓氮层（3）上表面设有p型氮化镓层（4），氮化镓层（4）的两侧分布有间隔不等的欧姆金属层（5），其中，离p型氮化镓层（4）较近的欧姆金属层（5）形成晶体管的源极，离p型氮化镓层（4）较远的欧姆金属层（5）形成晶体管的漏极；p型氮化镓层（4）上表面设有第一栅极金属层（61）形成晶体管的栅极，栅极和源极之间存在栅源连通区域，栅极和漏极之间存在栅漏连通区域，欧姆金属层（5）上表面设有第一互联金属层（71）； 栅源连通区域和栅漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层（62），每个第二栅极金属层（62）上表面均设有对应的第二互联金属层（72），第二栅极金属层（62）一侧超出其上表面对应的第二互联金属层（72）的一侧、形成阶梯场板结构； 具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤： 1）外延片自下而上依次包括衬底层（1）、氮化镓层（2）、铝镓氮层（3）和p型氮化镓层（4），利用电感耦合等离子体干法刻蚀方法，移除非图形区域的p型氮化镓层（4），使得仅有栅极区域保留p型氮化镓层（4）； 2）利用光刻剥离方法，在源极和漏极区域同时淀积欧姆金属层（5），随后在800-900℃下氮气氛围中对其进行20-40秒高温退火处理，形成欧姆接触； 3）利用等离子体增强化学气相沉积方法，在整个外延片上覆盖栅介质层，随后利用电感耦合等离子体干法刻蚀方法移除p型氮化镓层（4）上方、以及栅源和栅漏局部区域的栅极介质层，形成呈局域分布的凹槽区域； 4）利用光刻剥离方法，在步骤3）所得的呈局域分布的凹槽区域中淀积栅极金属层（6），栅极金属层（6）包括第一栅极金属层（61）和第二栅极金属层（62）； 5）利用等离子体增强化学气相沉积方法，在整个外延片上覆盖钝化介质层，随后利用电感耦合等离子体干法刻蚀方法移除欧姆金属层（5）上方、以及栅源和栅漏局部区域的钝化介质层，形成呈局域分布的凹槽区域； 6）利用光刻剥离方法，在步骤5）所得的呈局域分布的凹槽区域中淀积互联金属层（7），淀积互联金属层（7）包括第一互联金属层（71）和第二互联金属层（72），之后分别在晶体管的栅极、源极和漏极电极金属上淀积PAD加厚金属层，沿着划片道对外延片进行划片处理，对单个晶体管进行封装，最终完成晶体管制备。

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