台湾积体电路制造股份有限公司林承毅获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利对通孔缺陷进行建模的系统和方法以及储存介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115310395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210522958.1，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权对通孔缺陷进行建模的系统和方法以及储存介质是由林承毅;洪宗扬;安基达·帕帝达;王明义;桑迪·库马·戈埃尔设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本对通孔缺陷进行建模的系统和方法以及储存介质在说明书摘要公布了：公开了一种对通孔缺陷进行建模的方法和系统以及非暂时性计算机可读储存介质。该方法，包括：获取标准单元的设计布局，从设计布局中提取标准单元中的一个或多个通孔的特征信息，通过应用第一异常电阻值作为一个或多个通孔之中的第一通孔的寄生电阻值，来对于输入范例执行电路模拟以获得标准单元的第一模拟输出，第一异常电阻值不同于第一通孔的标称寄生电阻值，确定对于输入范例的标准单元的第一模拟输出是否与相应的期望输出匹配，以及响应于第一模拟输出之中的一个或多个模拟输出与相应的期望输出不匹配，记录具有第一异常电阻值的第一通孔的一个或多个缺陷类型以及相应的输入范例和相应的模拟输出。
本发明授权对通孔缺陷进行建模的系统和方法以及储存介质在权利要求书中公布了：1.一种对通孔缺陷进行建模的方法，包括： 获取标准单元的设计布局； 从所述设计布局中提取所述标准单元中的一个或多个通孔的特征信息，所述特征信息包括通孔位置信息、通孔层信息或通孔标称寄生电阻信息中的一种或多种； 通过应用第一异常电阻值作为所述一个或多个通孔之中的第一通孔的寄生电阻值，来对于输入范例执行电路模拟以获得所述标准单元的第一模拟输出，所述第一异常电阻值不同于所述第一通孔的标称寄生电阻值； 确定对于所述输入范例的所述标准单元的所述第一模拟输出是否与相应的期望输出匹配；以及 响应于所述第一模拟输出之中的一个或多个模拟输出与所述相应的期望输出不匹配，记录具有所述第一异常电阻值的所述第一通孔的一个或多个缺陷类型以及相应的输入范例和相应的模拟输出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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