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龙图腾网获悉山东东仪光电仪器有限公司申请的专利具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211207898.0，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统是由赵珍阳;范茂军;赵英勃;赵玉新;侯维杰设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统，壳体的容置腔内准直器与硅漂移探测元件连接；放大器与硅漂移探测元件电连接，用于放大硅漂移探测元件的输出信号；陶瓷基座与硅漂移探测元件连接，设置于硅漂移探测元件远离准直器的一侧；其中，陶瓷基座的表面设置有至少两个凹槽，凹槽内嵌合有绝压传感器和或温度传感器，绝压传感器和温度传感器用于向外界输出压力信号和温度信号；制冷器设置于陶瓷基座远离硅漂移探测元件的一端，用于对壳体内部进行温度保持；合理设计绝压传感器和温度传感器的安装位置，在不增加整体设计体积，并保证内部构造不发生结构干涉的情况下，提供具有自检漏以及温度控制功能的硅漂移探测器。

本发明授权具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器及探测器系统在权利要求书中公布了：1.一种具有自检漏和温度控制功能的硅漂移探测器，包括壳体，壳体形成有入射窗口，所述入射窗口用于放射线入射；其特征在于，在所述壳体的容置腔内还设置有： 硅漂移探测元件，第一表面与所述入射窗口对应设置； 准直器，与所述硅漂移探测元件连接，且设置于第一表面靠近所述入射窗口的一侧； 放大器，与所述硅漂移探测元件电连接，用于放大所述硅漂移探测元件的输出信号； 陶瓷基座，与所述硅漂移探测元件连接，设置于所述硅漂移探测元件远离所述准直器的一侧；其中，所述陶瓷基座的表面设置有至少两个凹槽，所述凹槽内嵌合有绝压传感器和或温度传感器，所述绝压传感器和所述温度传感器用于向外界输出压力信号和温度信号； 制冷器，设置于所述陶瓷基座远离所述硅漂移探测元件的一端，用于对所述壳体内部进行温度保持； 其中，所述陶瓷基座为氮化硼陶瓷基座或氮化硅陶瓷基座；所述硅漂移探测元件贴装于所述陶瓷基座的表面，且所述陶瓷基座的边缘还设有多个电极焊点，所述电极焊点与所述硅漂移探测元件和所述放大器电连接，且电极焊点还连接有引出线，所述引出线用于向外界输出信号，并提供所述硅漂移探测元件的工作电压；所述电极焊点为金焊点；所述引出线为金引线；所述壳体远离所述入射窗口的一端设置有贯穿的引线柱，所述引线柱位于所述壳体内的部分与所述金引线固定连接，且所述引线柱与所述制冷器间隙设置；且所述壳体的外表面还设置有导热柱，所述导热柱设置于多根所述引线柱围绕的中部。

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