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龙图腾网获悉西安电子科技大学;中国航空工业集团公司济南特种结构研究所申请的专利一种宽频带吸透一体化频选表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211378444.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种宽频带吸透一体化频选表面是由吴边;毛思博;庞晓宇;赵生辉;苏涛设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽频带吸透一体化频选表面在说明书摘要公布了：本发明涉及一种宽频带吸透一体化频选表面，包括：第一损耗层，用于对中、高频部分的宽带透波和低频部分的吸波，所述第一损耗层包括阵列排布的m×n个第一单元；第一泡沫基板，位于所述第一损耗层之下；第二损耗层，位于所述第一泡沫基板之下，用于对中频部分的透波和高频部分的吸波，所述第二损耗层包括阵列排布的m×n个第二单元；第二泡沫基板，位于所述第二损耗层之下；带通频选层，位于所述第二泡沫基板之下，用于对中频的宽带透波以及为低频和高频的吸波提供地板，所述带通频选层包括阵列排布的m×n个第三单元。本发明的宽频带吸透一体化频选表面在实现宽频吸透响应的同时实现宽透波带的低插损响应。

本发明授权一种宽频带吸透一体化频选表面在权利要求书中公布了：1.一种宽频带吸透一体化频选表面，其特征在于，所述宽频带吸透一体化频选表面包括： 第一损耗层，用于对中、高频部分的宽带透波和低频部分的吸波，所述第一损耗层包括阵列排布的m×n个第一单元； 第一泡沫基板，位于所述第一损耗层之下； 第二损耗层，位于所述第一泡沫基板之下，用于对中频部分的透波和高频部分的吸波，所述第二损耗层包括阵列排布的m×n个第二单元； 第二泡沫基板，位于所述第二损耗层之下； 带通频选层，位于所述第二泡沫基板之下，用于对中频的宽带透波以及为低频和高频的吸波提供地板，所述带通频选层包括阵列排布的m×n个第三单元； 每个所述第一单元包括第一方形介质板、四个绕线电感、四个电容条带、八个电容通孔和第一石墨烯方阻片，其中： 所述四个绕线电感嵌入在所述第一方形介质板中，所述四个电容条带和所述第一石墨烯方阻片位于所述第一方形介质板远离所述第一泡沫基板的一面； 所述四个电容条带与所述第一石墨烯方阻片的四边对应设置，每个所述电容条带的两端设置有贯穿所述第一方形介质板的电容通孔； 每个所述绕线电感的一端与所述第一石墨烯方阻片的一边相连接，另一端通过过孔与所述电容条带相连通。

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