深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);深圳市优威芯电子科技有限公司于潜行获国家专利权
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龙图腾网获悉深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);深圳市优威芯电子科技有限公司申请的专利一种深紫外LED器件封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211545628.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种深紫外LED器件封装工艺是由于潜行;邱幸;李世玮设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外LED器件封装工艺在说明书摘要公布了：本发明一种深紫外LED器件封装工艺，属于微电子封装领域。所述封装工艺将可深紫外固化的封装材料填充进入器件内部，包裹住深紫外LED芯片；然后经过深紫外线照射固化，形成封装透镜。相对传统工艺的全氟材料封装工艺而言，该工艺具有步骤简单，性价比高，成本低廉，无毒环境友好等特点。封装材料具有较高的深紫外线穿透率和匹配的折射率，具有优良的抗老化性能，500小时深紫外透过率仍在到90％左右，稳定性良好。而且该工艺能够提升265nm深紫外线LED光功率至少30％。本发明的封装工艺可以应用于多种深紫外LED的封装。
本发明授权一种深紫外LED器件封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种深紫外LED器件封装工艺，其特征在于，包括如下步骤： 1将液态封装材料填充进入待封装的深紫外LED器件内部，包裹住深紫外LED芯片；所述封装材料由A、B、C任意一种或多种结构式的物质构成， 其中，n≥1，且n为整数， 2所述封装材料经过深紫外线照射固化，形成封装透镜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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