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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115971676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211652770.5，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法是由刘景全;阮涛;邵水涵;涂柯俊;文惠敏;林祖德;尤敏敏;王晓林;刘武设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠及其制备方法，制备方法包括：采用微流控方法制备CD聚合物空心球；于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜，形成CD‑CH复合聚合物空心球；采用激光留尾切割的方法对所述CD‑CH复合聚合物空心球进行切割；用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开，将切割后的CD‑CH复合聚合物球冠从所述CD‑CH复合聚合物空心球上剥离，得到双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠。本发明解决了CD‑CH复合聚合物球冠制备中CH层厚度难以精确控制、切割球冠和取样难度大的问题，实现了高精度及可批量制备CD‑CH复合聚合物球冠。

本发明授权双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠的制备方法，其特征在于，包括： 采用微流控方法制备CD聚合物空心球； 于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜，形成CD-CH复合聚合物空心球；其中：采用化学气相沉积方法沉积CH薄膜； 采用激光留尾切割的方法对所述CD-CH复合聚合物空心球进行切割；所述激光留尾切割通过控制切割的图形实现，切割图形为有缺口的圆形，在缺口位置不切割，缺口位置即为切割后的粘连部位；所述激光留尾切割通过控制激光的开光延迟和关光延迟实现； 用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开，将切割后的CD-CH复合聚合物球冠从所述CD-CH复合聚合物空心球上剥离，得到双锥对撞点火中CD-CH复合聚合物球冠； 所述采用激光留尾切割的方法对所述CD-CH复合聚合物空心球进行切割，其中：采用飞秒激光或者皮秒激光；激光的波长为650-1030nm，功率为1-3W，脉冲宽度为50fs-200ps； 开关延时范围为200-700μs，关光延时范围为300-900μs，切割的图形为直径为700-900μm的有缺口圆形。

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