中国科学院声学研究所施全权获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院声学研究所申请的专利一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116168673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310136585.9，技术领域涉及：G10K11/172；该发明授权一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器是由施全权;贾晗;杨玉真;杨军设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，所述消声器包括：包覆在硬质空腔外相互连接的抗性消声器和阻式消声器，其中，所述抗性消声器，由多个二阶亥姆霍兹共振器THR组成，用于反射低于1000Hz频段噪声的声能；所述阻式消声器，由多孔吸声材料PSAM组成，用于吸收高于1000Hz频段噪声的声能。本发明提出的阻抗复合式消声器具有很强的可推广性，利用共振式结构和PSAM的优缺点互补进行有效的组合，通过调整共振式结构的参数去设定其目标降噪的频率，更好的实现低频降噪；而PSAM可以持续实现中高频的降噪，二者的组合给生活中解决低频宽带降噪带来很大的帮助。
本发明授权一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器在权利要求书中公布了：1.一种低频宽带降噪的阻抗复合式消声器，其特征在于，所述消声器包括：包覆在硬质空腔外相互连接的抗性消声器和阻式消声器，其中， 所述抗性消声器，由两个以上的二阶亥姆霍兹共振器组成，用于反射低于1000Hz频段噪声的声能； 所述阻式消声器，由多孔吸声材料组成，用于吸收高于1000Hz频段噪声的声能； 所述抗性消声器包括10个截面的串联，每个截面放置2个L型二阶亥姆霍兹共振器，每个L型二阶亥姆霍兹共振器的宽度均为w＝52mm； 每个L型二阶亥姆霍兹共振器在水平方向的开口均与硬质空腔连通，上下两个L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率间隔大于50Hz； 所述10个截面由距离阻式消声器最远端起，同侧的上L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率从低至高依次排列，同侧的下L型二阶亥姆霍兹共振器的共振频率从低至高依次排列。
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