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龙图腾网获悉湖南长宇科技发展有限公司申请的专利一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116332674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310311789.1，技术领域涉及：C04B41/70；该发明授权一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法是由杨程;曾晨;徐平;钟静;宋伟杰;王新华;黄斌;刘金平设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及高导热石墨材料制备领域，针对SiC‑ZrC陶瓷涂层以及氧化后形成的Zr‑Si‑O氧化物防护层与石墨基底间的热膨胀系数差异会影响涂层与石墨间的结合，降低涂层的热防护效果，本申请公开了一种SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨材料，包括基底、过渡内层和外涂层；基底为高导热石墨，过渡内层为SiC纳米线组成的网络层，外涂层为SiC‑ZrC涂层，且SiC纳米线直接生长在高导热石墨基底表面，SiC‑ZrC外涂层包裹SiC纳米线、且填满网络层的孔隙，获得致密的SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨材料，本发明提出的SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层的高导热石墨，具有远优于单一高导热石墨和无SiC纳米线改性SiC‑ZrC涂层高导热石墨的耐烧蚀性能。

本发明授权一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC纳米线改性SiC-ZrC涂层的高导热石墨材料的制备方法，其特征在于，步骤如下： 步骤1、高导热石墨基底的预处理； 步骤2、在完成预处理的高导热石墨基底表面上通过化学气相沉积法均匀生长SiC纳米线网络层； 步骤3、通过包埋的方式将SiC-ZrC外涂层包裹SiC纳米线、且填满网络层的孔隙； 步骤1中包括如下子步骤， S1、对加工成型的高导热石墨基底进行表面打磨，超声清洗干净后放入120ºC烘箱烘干； S2、将高导热石墨基底放入管式炉中，打开真空泵，抽真空至炉内压力在200Pa以下，关闭管式炉进气口和出气口保压20min，检查管式炉内压力达到标准后，向炉内通入氩气至常压，关闭真空泵，控制氩气流量为500mLmin，以6~12ºCmin的速率将管式炉高温区升温至800~1000ºC； S3、管式炉达到设定温度后，打开真空泵并停止通入氩气，抽真空至炉内压力在200Pa以下，保压20min后通过空气，调节进气端和出气端阀门以控制炉内压力稳定为2500~7500Pa，保温10~30min后停止加热，停止通入空气，重新通入氩气至炉内压力为常压，关闭真空泵，降温至室温后获得预处理的高导热石墨基底。

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