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龙图腾网获悉东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心申请的专利一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116384330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310332561.0，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法是由杨兰兰;刘怡呈;屠彦;何延杰;李怡宁;覃涛设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法。通过TCAD仿真所获得的鳍式场效应管电场分布，获取寄生电容解析模型，之后利用统计阻抗场法获取寄生电容受工艺波动影响的数据，仿真数据校准拟合后，生成考虑工艺波动的寄生电容波动模型。该方法能够减少仿真工艺波动所需的大量计算，并且能够以统计分布的形式较为准确地表现工艺波动对寄生电容的影响。通过鳍式场效应管寄生电容波动模型，可以在不需要大量计算的情况下预估寄生电容的波动情况，解决考虑工艺波动条件下的电路设计的阈值、故障率、成品率等问题。

本发明授权一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法在权利要求书中公布了：1.一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤S01：根据鳍式场效应管FinFET仿真电场分布和BSIM-CMG紧凑模型，得到标准的FinFET寄生电容解析模型； 步骤S02：利用TCAD仿真工具，结合统计阻抗场法得到考虑工艺波动条件下的多组FinFET电磁仿真数据，作为样本；其中，在仿真时考虑的工艺波动包括随机掺杂波动、氧化层厚度波动、界面陷阱态波动和金属功函数波动； 步骤S03：通过栅极电压漏极偏置扫描法，从样本仿真数据中提取出考虑工艺波动的寄生电容的样本统计数据，对寄生电容的样本数据进行处理：获取样本的显著性差异、数学期望、均方差的统计参数，依此进行单样本柯尔莫可洛夫-斯米洛夫K-S检验，判断样本所服从的分布类型； 步骤S04：将寄生电容的样本统计数据和标准FinFET寄生电容解析模型结合，代入单样本K-S检验所得的概率分布类型的概率密度公式，获取考虑工艺波动下的寄生电容波动模型； 其中， 所述步骤S01具体为： 栅极与鳍间的寄生电容Cfg为： 栅极与源漏极相对面之间的电容Ccg1为： 栅极顶面与源漏顶面间的电容Ccg2为： 栅极侧壁与源漏顶面之间的电容Ccg3为： 其中，HFin是Fin的高度，Hg是栅极高度，Hc是源漏极高度，Hmax是栅和鳍形成的椭圆形电场线长轴长度，R是栅极侧壁和源漏顶面形成的四分之一圆形电场线的半径；Lext是拓展区长度，Lc是源漏区长度，Lg是栅极长度，Tox是氧化层厚度，εsp是材料相对介电常数，Cfgsat、Cfglog分别是线性和饱和状态下的Cfg参考值，Cfgsat、Cfglog、Hmax、R均由仿真结果得到；k1、k2是拟合参数； 所述步骤S04，根据寄生电容服从正态分布，则寄生电容波动模型为： Ef＝Cp+β1Ec-Cpβ1∈[0，1] 其中，fcf是寄生电容所服从的概率密度函数，Cf是寄生电容，Ec是样本数据的均值，是样本数据的方差，Ef是波动模型的均值，是波动模型的方差，Cp是寄生电容解析模型的精确值，β1、β2为拟合参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心，其通讯地址为：211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。