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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利基于十字形结构阵列的太阳能吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310489302.9，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权基于十字形结构阵列的太阳能吸收器是由高扬;孙鹏飞;苏丽晶;周亚新;聂思函;李鑫设计研发完成，并于2023-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于十字形结构阵列的太阳能吸收器在说明书摘要公布了：本发明基于十字形结构阵列的太阳能吸收器属于微纳光电子技术领域；由多个可调控结构单元在XOY平面周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个可调控结构单元由下到上依次为基底层、缓冲层和天线；基底层和缓冲层的形状为正方形，天线的形状包括设置在缓冲层正中间的正十字形结构和设置在缓冲层边缘的T形结构，两个可调控结构单元排列在一起，相邻两个T形结构构成一个非正十字形结构；天线包括材料为SiN4的上层结构和材料为W的下层结构，上层结构和下层结构的形状、大小和摆放方向相同；本发明结构简单，在584.2nm‑2802.1nm的宽带范围内的平均吸收率为94.1％，且不受光源的偏振情况影响，在0°～60°入射角范围内都有较好的吸收效果。

本发明授权基于十字形结构阵列的太阳能吸收器在权利要求书中公布了：1.基于十字形结构阵列的太阳能吸收器，由多个可调控结构单元在XOY平面周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个所述可调控结构单元由下到上依次为Ti材料的基底层1、SiO2材料的缓冲层2和天线3；所述基底层1和缓冲层2的形状为正方形，所述天线3包括上层结构3-1和材料为W的下层结构3-2； 定义所述基底层1、缓冲层2和天线3的相对位置为：所述基底层1所在平面为XOY平面，即水平面，基底层1中心位置与坐标原点重合，基底层1的两组对边分别平行于X轴和Y轴，所述缓冲层2与基底层1的形状、大小和摆放方向相同； 其特征在于， 所述天线3的形状包括设置在缓冲层2正中间的正十字形结构和设置在缓冲层2边缘的T形结构，两个可调控结构单元排列在一起，相邻两个T形结构构成一个非正十字形结构；所述上层结构3-1的材料为Si3N4，所述上层结构3-1和下层结构3-2的形状、大小和摆放方向相同；在所述天线3中的正十字形结构中，横与竖分别平行于X轴和Y轴，在所述天线3中的T形结构中，横与缓冲层2的边界重合，横与竖的交点位于缓冲层2的边界中心。

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