黑龙江大学高扬获国家专利权
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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利基于钛正方环结构阵列的宽带太阳能吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116399043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310515250.8，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权基于钛正方环结构阵列的宽带太阳能吸收器是由高扬;李鑫;孙鹏飞;苏丽晶;周亚新;聂思函设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于钛正方环结构阵列的宽带太阳能吸收器在说明书摘要公布了：本发明基于钛正方环结构阵列的太阳能吸收器属于微纳光电子技术领域；由多个可调控结构单元在XOY平面周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个所述可调控结构单元由下到上依次为Ti材料的基底层、Si3N4材料的第一缓冲层、TiN材料的第二缓冲层和Ti材料的天线；所述基底层、第一缓冲层和第二缓冲层的形状均为正方形，所述天线的形状为正方环形，设置在缓冲层正中上方，所述正方环形的边长与X轴和Y轴夹角45°；本发明结构简单，在280nm‑2100nm的宽带范围内的平均吸收率为95.9％，且不受光源的偏振情况影响，在0°～60°入射角范围内都有较好的吸收效果。
本发明授权基于钛正方环结构阵列的宽带太阳能吸收器在权利要求书中公布了：1.基于钛正方环结构阵列的宽带太阳能吸收器，由多个可调控结构单元在XOY平面周期排列构成，太阳光以平面波形式入射，每个所述可调控结构单元由下到上依次为基底层1、第一缓冲层2、第二缓冲层3和Ti材料的天线4；所述基底层1、第一缓冲层2和第二缓冲层3的形状均为正方形，所述天线4的形状为正方环形，设置在缓冲层3正中上方； 定义所述基底层1、第一缓冲层2、第二缓冲层3和天线4的相对位置为：所述基底层1所在平面为XOY平面，即水平面，基底层1中心位置与坐标原点重合，基底层1的两组对边分别平行于X轴和Y轴，所述第一缓冲层2、第二缓冲层3与基底层1的形状、大小和摆放方向相同，所述天线4的正方环形中心位置与坐标原点重合。 其特征在于，基底层1为Ti材料，第一缓冲层2为Si3N4材料，第二缓冲层3为TiN材料；所述正方环形的边长与X轴和Y轴夹角45°；所述天线4的高度为D＝0.315μm，所述正方环形的外边长为L1＝0.31μm，内边长为L2＝0.25μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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