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龙图腾网获悉上海芯东来半导体科技有限公司申请的专利一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118862598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411347087.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法是由王野;杨尚勇;王印勋;毕厚海设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法，属于光刻机制造的技术领域，包括S1、构建主基板的仿真模型；S2、设置拓扑优化的设计变量，确定设计区域和非设计区域；S3、定义优化的目标函数，以柔度最小和一阶模态频率最大为优化目标；S4、定义控制变量参数，以控制棋盘格现象；S5、对所述设计区域进行优化。通过合理确定设计区域和非设计区域，采用拓扑优化的仿真分析软件，并定义优化的目标函数和控制变量参数，对设计区域进行优化；极大程度降低了主基板结构的设计难度，提升了主基板结构的设计效率且保证优化后主基板结构性能的稳定性和可靠性。

本发明授权一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻机主基板的拓扑优化方法，其特征在于，包括： S1、构建主基板的仿真模型； S2、设置拓扑优化的设计变量，确定设计区域和非设计区域； 所述步骤S2包括： S21、所述仿真模型采用对称结构，并设置有单个一维对称约束； S22、将所述仿真模型的接口区域设置为非设计区域，所述仿真模型的其它区域设置为设计区域； 所述主基板包括主板和支撑所述主板的多个支撑柱；所述非设计区域包括第一非设计区域和第二非设计区域； 所述主板中心设置有物镜通孔，以及围绕所述物镜通孔的多个呈圆形的物镜接口； 所述主板还设置有多个呈矩形平面设置的龙门架接口； 将同时覆盖所述多个物镜接口的环状区域设置为所述第一非设计区域，直接将所述龙门架接口区域设置为所述第二非设计区域； 将所述主板的其他区域以及所述多个支撑柱均设置为所述设计区域； S3、定义优化的目标函数，以柔度最小和一阶模态频率最大为优化目标； S4、定义控制变量参数，以控制棋盘格现象； S5、对所述设计区域进行优化； 还包括步骤S6，所述步骤S6包括： 根据拓扑优化结果，对主基板进行重新设计； 对重新设计的主基板并进行结构强度分析，判断是否符合设计要求，若是，拓扑优化完成；若否，则对重新设计主基板进行二次优化； 对重新设计主基板进行二次优化的步骤包括： 以原先的非设计区域为基准，向外扩大所述非设计区域；其中，扩大距离基于扩大方向上仿真结构强度的平均值确定；并且，所述平均值越高则扩大距离越小，所述平均值越低则扩大距离越大。

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