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普瑞(无锡)研发有限公司王锋获国家专利权

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龙图腾网获悉普瑞(无锡)研发有限公司申请的专利一种氮化镓发光二极管结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223261876U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422366615.8,技术领域涉及:H10H20/816;该实用新型一种氮化镓发光二极管结构是由王锋;张秀敏;陈晓冰;刘林;杜高云;黄慧诗设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种氮化镓发光二极管结构在说明书摘要公布了:本实用新型属于半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓发光二极管结构,衬底,缓冲层设置于所述衬底的表面,第一半导体层设置于所述缓冲层表面,所述第一半导体层设置有台阶,所述台阶平面上设置有第一电流阻挡层,第一电极与所述第一半导体层电性连接,并设置在所述第一电流阻挡层的表面;活性层设置于第一半导体层表面,第二半导体层设置于活性层表面,第二电流阻挡层设置于所述第二半导体层的表面,所述第二电流阻挡层包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构,所述第二电流阻挡结构间隔设置在所述第一电流阻挡的两侧或靠近第一电极的一侧,导电层设置于所述第二半导体层以及第二电流阻挡层的表面。本实用新型能够改善发光二极管发光的均匀性。

本实用新型一种氮化镓发光二极管结构在权利要求书中公布了:1.一种氮化镓发光二极管结构,其特征在于,包括: 衬底(1); 缓冲层(2),设置于所述衬底(1)的表面; 第一半导体层(3),设置于所述缓冲层(2)表面,所述第一半导体层(3)设置有台阶(31),所述台阶(31)平面上设置有第一电流阻挡层(4); 第一电极(5),与所述第一半导体层(3)电性连接,并设置在所述第一电流阻挡层(4)的表面; 活性层(6),设置于第一半导体层(3)表面; 第二半导体层(7),设置于活性层(6)表面; 第二电流阻挡层(8),设置于所述第二半导体层(7)的表面,所述第二电流阻挡层(8)包括第一电流阻挡结构(81)和第二电流阻挡结构(82),所述第二电流阻挡结构(82)间隔设置在所述第一电流阻挡结构(81)的两侧或靠近第一电极(5)的一侧; 导电层(10),设置于所述第二半导体层(7)以及第二电流阻挡层(8)的表面; 第二电极(9),与所述第二半导体层(7)电性连接; 反射镜层(11),设置于所述衬底(1)背离所述缓冲层(2)的一面; 绝缘层(12),设置于所述导电层(10)、台阶(31)、第一电极(5)、第二电极(9)的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人普瑞(无锡)研发有限公司,其通讯地址为:214192 江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉三路108号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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