台湾积体电路制造股份有限公司陈昱婷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利纳米结构场效晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223261856U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422390054.5，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型纳米结构场效晶体管是由陈昱婷;郭玳榕;张慕傑;吴振诚;林颂恩;李资良设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米结构场效晶体管在说明书摘要公布了：纳米结构场效晶体管包括源极漏极区、半导体纳米结构、隔离区、保护层、栅极结构及间隔物。半导体纳米结构相邻于源极漏极区。隔离区相邻于半导体纳米结构。保护层在隔离区上，保护层为含碳介电层。栅极结构在保护层上且在半导体纳米结构周围。间隔物在栅极结构与源极漏极区之间，且电隔离栅极结构与源极漏极区。
本实用新型纳米结构场效晶体管在权利要求书中公布了：1.一种纳米结构场效晶体管，其特征在于，包括： 一源极漏极区； 相邻于该源极漏极区的一半导体纳米结构； 相邻于该半导体纳米结构的一隔离区； 在该隔离区上的一保护层，该保护层为一含碳介电层； 在该保护层上且在该半导体纳米结构周围的一栅极结构；及 该栅极结构与该源极漏极区之间的一间隔物，该间隔物电隔离该栅极结构与该源极漏极区。
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