京东方华灿光电(浙江)有限公司刘小亮获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利发光二极管及发光面板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223261877U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422450621.1，技术领域涉及：H10H20/84；该实用新型发光二极管及发光面板是由刘小亮;任茹蓁;王薇;林振华;崔伟豪;魏柏林;田艳红;尹灵峰设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光面板在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种发光二极管及发光面板，属于半导体技术领域。该发光二极管包括发光结构、第一绝缘层和金属反射层，发光结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一绝缘层位于第二半导体层的远离发光层的表面，第一绝缘层具有多个通孔；金属反射层位于第一绝缘层的远离发光结构的表面，且通过多个通孔与第二半导体层电连接，金属反射层在第一半导体层上的正投影位于第一绝缘层在第一半导体层上的正投影的外轮廓的内部，且包含第二半导体层在第一半导体层上的正投影。本公开实施例能提高LED的发光效率。
本实用新型发光二极管及发光面板在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括发光结构10、第一绝缘层20和金属反射层30， 所述发光结构10包括依次层叠的第一半导体层11、发光层12和第二半导体层13； 所述第一绝缘层20位于所述第二半导体层13的远离所述发光层12的表面，所述第一绝缘层20具有多个通孔21； 所述金属反射层30位于所述第一绝缘层20的远离所述发光结构10的表面，且通过所述多个通孔21与所述第二半导体层13电连接，所述金属反射层30在所述第一半导体层11上的正投影位于所述第一绝缘层20在所述第一半导体层11上的正投影的外轮廓的内部，且包含所述第二半导体层13在所述第一半导体层11上的正投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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