台湾积体电路制造股份有限公司沈文超获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆晶胞以及集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223261854U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422459692.8，技术领域涉及：H10D30/68；该实用新型记忆晶胞以及集成电路是由沈文超设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆晶胞以及集成电路在说明书摘要公布了：本揭示内容的实施例提供一种记忆晶胞以及集成电路，特别是包括两个或多个位元的多次可程序化Multi‑timeprogrammable，MTP记忆晶胞。该记忆晶胞包含鳍式场效晶体管Finfieldeffecttransistor，FinFET晶体管，FinFET晶体管具有形成于一通道区周围的两个或多个储存节点以及形成于两个或多个储存节点上方的两个或多个栅电极。记忆晶胞可由n型通道晶体管或p型通道晶体管实现。
本实用新型记忆晶胞以及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种记忆晶胞，其特征在于，包括： 一源极区； 一漏极区； 一通道区，连接该源极区及该漏极区，其中该通道区具有一第一侧壁、一第二侧壁及连接该第一侧壁及该第二侧壁的一顶表面； 一第一栅极介电层，设置于该通道区上； 一储存栅电极层，设置于该第一栅极介电层上； 一第一控制栅电极层，设置于该储存栅电极层上，其中该第一控制栅电极层面向该通道区的该第一侧壁；及 一第二控制栅电极层，设置于该储存栅电极层上，其中该第二控制栅电极层面向该通道区的该第二侧壁，且该第一控制栅电极层及该第二控制栅电极层彼此电隔离。
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