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龙图腾网获悉成都鸿辰光子半导体科技有限公司申请的专利一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411419073.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法是由王保雄;王越;马辉;刘奇;赵若阳设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法，设计半导体芯片技术领域；本方案在量子垒层厚度和电子阻挡层厚度保持恒定情形下，对部分或全部量子垒层中替换插入第一替换层，在电子阻挡层中替换插入第二替换层；以提高了量子垒能带势垒高度，同时降低了空穴有效势垒高度，大大提高有源区的辐射复合效率，从而有效提高AlGaN深紫光电芯片结构的内量子效率和发光效率；方案还通过参数组合模型中，集合按照单位调整量调整动态参数，组合出多个动态参数组集合，只对动态参数组集合进行模拟仿真和计算，从而确定出最优动态参数组，得到高内量子效率的光电芯片结构；避免了对大量参数的模拟仿真和计算，提升高内量子效率的光电芯片结构的生产效率。

本发明授权一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种高内量子效率的光电芯片结构，其特征在于，包括：依次叠加设置在衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层和P型层； 所述多量子阱有源层由n个材料和厚度相同的量子垒层，与n-1个材料和厚度相同的量子阱层交错叠加形成； 在量子垒层厚度保持恒定情形下，部分或全部量子垒层中替换插入第一替换层； 在电子阻挡层厚度保持恒定情形下，在电子阻挡层中替换插入第二替换层； 第二替换层替换插入电子阻挡层中的位置为第二替换层分别在电子阻挡层的上方和下方对称替换插入； 所述第一替换层替换插入在量子垒层的中间位置，第一替换层的中心与量子垒层的中心重叠； 所述电子阻挡层为厚度100nm的AlxGa1-xN层；x为电子阻挡层中Al的摩尔分数；0.2＜x＜0.8； 所述第二替换层包括一级替换层和二级替换层；所述一级替换层为Alx1Ga（1-x1）N层；所述二级替换层为Alx2Ga（1-x2）N层；其中x1为一级替换层中Al的摩尔分数；x2为二级替换层中Al的摩尔分数；x＞x1＞x2； 两个完全相同的一级替换层分别替换插入在电子阻挡层的上方和下方；两个完全相同的二级替换层分别替换插入在两个一级替换层的表面位置。

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