芯恩(青岛)集成电路有限公司刘晓亮获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种用于半导体制造工艺的装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223255523U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422615079.0,技术领域涉及:C30B25/08;该实用新型一种用于半导体制造工艺的装置是由刘晓亮;王伟设计研发完成,并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体制造工艺的装置在说明书摘要公布了:本申请提供了一种用于半导体制造工艺的装置,涉及半导体制造技术领域,包括反应腔室、进气管路、颗粒吸附组件;所述反应腔室用于放置晶圆,并为晶圆提供反应空间;所述进气管路一端与所述反应腔室连通,用于向所述反应腔室通入气体,所述进气管路靠近所述反应腔室的一端上设置有第一气阀;所述颗粒吸附组件设置在所述进气管路靠近所述反应腔室的一端,且所述第一气阀位于所述反应腔室和所述颗粒吸附组件之间,所述颗粒吸附组件用于吸附气体携带的颗粒杂质。能够使颗粒吸附组件吸附进气管路中气体携带的颗粒杂质,避免了因腐蚀性气体对金属管路焊接处的腐蚀所产生的金属颗粒进入反应腔室中,避免了晶圆表面的颗粒缺陷,提高了晶圆的质量和良品率。
本实用新型一种用于半导体制造工艺的装置在权利要求书中公布了:1.一种用于半导体制造工艺的装置,其特征在于,包括反应腔室、进气管路、颗粒吸附组件; 所述反应腔室用于放置晶圆,并为晶圆提供反应空间; 所述进气管路一端与所述反应腔室连通,用于向所述反应腔室通入气体,所述进气管路靠近所述反应腔室的一端上设置有第一气阀; 所述颗粒吸附组件设置在所述进气管路靠近所述反应腔室的一端,且所述第一气阀位于所述反应腔室和所述颗粒吸附组件之间,所述颗粒吸附组件用于吸附气体携带的颗粒杂质。
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