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研微(江苏)半导体科技有限公司高培培获国家专利权

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龙图腾网获悉研微(江苏)半导体科技有限公司申请的专利半导体反应腔室及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119465082B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411593021.9,技术领域涉及:C23C16/44;该发明授权半导体反应腔室及其使用方法是由高培培;严怀余;姜闯;王菲;林兴设计研发完成,并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体反应腔室及其使用方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体反应腔室及其使用方法,其中反应腔室包括腔体、进气法兰和支撑件;腔体包括腔体本体和固定至腔体本体的第一侧的第一腔室法兰,第一腔室法兰具有第一传输口和第二传输口,第一传输口和第二传输口均被配置为允许衬底从其中通过;进气法兰位于第一腔室法兰的远离腔体本体的一侧,被配置为第一种进气法兰或第二种进气法兰,第一种进气法兰的传片口与所述第一传输口连通,第二种进气法兰的传片口与所述第二传输口连通;支撑件部分位于腔体本体内且支撑件用于承载衬底。本发明中腔体的第一腔室法兰具有第一传输口和第二传输口,腔体可适配不同的进气法兰,使半导体反应腔室兼容两种衬底入腔方式,增加半导体反应腔室的应用场景。

本发明授权半导体反应腔室及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体反应腔室,其特征在于,包括: 腔体,所述腔体包括腔体本体和固定至所述腔体本体的第一侧的第一腔室法兰,所述第一腔室法兰具有第一传输口和第二传输口,所述第一传输口和所述第二传输口均被配置为允许衬底从其中通过,所述第一传输口位置高于所述第二传输口; 进气法兰,所述进气法兰位于所述第一腔室法兰的远离所述腔体本体的一侧,所述进气法兰被配置为第一种进气法兰或第二种进气法兰,所述第一种进气法兰的传片口与所述第一传输口连通,所述第二种进气法兰的传片口与所述第二传输口连通;以及 支撑件,所述支撑件部分位于所述腔体本体内,且所述支撑件用于承载所述衬底;所述支撑件包括托盘支架、衬底托盘、顶针和顶针支架;所述托盘支架上设置所述衬底托盘;所述衬底托盘上活动设置所述顶针,当所述顶针受所述衬底托盘支撑时,所述顶针的上表面与所述衬底托盘的上表面齐平或位于所述衬底托盘的上表面之下;所述顶针支架的顶端具有顶针托,所述顶针托用于支撑所述顶针,或者所述顶针支架相对于所述顶针错开,使所述顶针支架不支撑所述顶针;所述顶针支架与所述托盘支架同轴设置;所述腔体本体内还设置有止动件,所述止动件被配置为调整所述顶针的上表面所处高度;每个所述止动件位于其对应的所述顶针的下方,所述止动件被设置为包括多个厚度的止动件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人研微(江苏)半导体科技有限公司,其通讯地址为:214100 江苏省无锡市无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼2201-01;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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