合肥领航微系统集成有限公司杜亦佳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种MEMS芯片结构及刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119503720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411614874.6，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种MEMS芯片结构及刻蚀方法是由杜亦佳;詹同舟;王国谦;石彦立设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS芯片结构及刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体MEMS芯片工艺技术领域，尤其涉及一种MEMS芯片结构及刻蚀方法，芯片结构包括石英，石英表面形成金属Cr，在金属Cr表面形成无机化合物，无机化合物在金属Cr上形成掩膜；刻蚀方法包括以下步骤：在金属Cr上生长无机化合物后，首先光刻蚀部分无机化合物，形成刻蚀槽，然后利用剩余无机化合物干法刻蚀金属Cr，最后采用湿法将余硅泡掉。本发明MEMS芯片结构及刻蚀方法，在金属Cr上生成一层无机化合物作为掩膜，对金属Cr进行干法刻蚀时，氯气和氧气与无机化合物不会发生反应，可以消除金属层产生的阳角，尽量保证角度垂直，有利于获取高精度的MEMS芯片。
本发明授权一种MEMS芯片结构及刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS芯片结构的刻蚀方法，该MEMS芯片结构包括石英100，在所述石英100的表面生长形成金属层200，在金属层200表面生长有无机化合物300；所述无机化合物300在金属层200上形成掩膜； 所述无机化合物300为双层结构，其中底层为硅310，顶层为氧化硅320； 其特征在于，该MEMS芯片结构的刻蚀方法包括步骤： S1，在金属层200上生长无机化合物300； S2，光刻工艺干法刻蚀部分无机化合物300，形成刻蚀槽； S3，利用剩余无机化合物300形成掩膜干法刻蚀金属层200； S31、干法刻蚀金属层200上段部分，消耗氧化硅320； S32、干法刻蚀金属层200下段部分，消耗硅310； S4，采用湿法工艺去除无机化合物300残留的硅310； 其中，所述干法刻蚀采用气体为氯气和氧气。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥领航微系统集成有限公司，其通讯地址为：230031 安徽省合肥市高新区孔雀台路2899号联东U谷·合肥高新国际企业港18-101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号