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龙图腾网获悉大庆溢泰半导体材料有限公司申请的专利一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411612518.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法是由郑红军;刘砚滨;赵春锋;赵中阳;于会永;冯佳峰设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法在说明书摘要公布了：一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法，涉及晶片抛光技术，本发明首先优化晶体滚外圆工艺，控制晶体滚外圆进刀量及晶体移动速率，以获得晶体结构致密，光洁度好的表面；设计了晶体倒角工艺，对不同状态下倒角的砂轮目数，倒角圈数及其给进速度进行优化；设计了晶片主定位圆角半径大小，将以前的主边尖角改为圆角，以此保证主边圆角可承受外力作用而不发生脱落、掉渣等问题；设计了锑化镓晶片边缘端面抛光技术，以获得边缘结构致密、光亮、无倒边轨迹，最后优化了锑化镓晶片抛光三大过程，通过系统的过程控制，晶片边缘的结构稳定，晶片边缘脱落大幅度减少，实现晶片最终抛光“暗划”由60%下降至10%，最终抛光一次通过率大幅度提升。

本发明授权一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法，其特征在于包括以下步骤： S1、晶体滚外圆； S2、晶片倒角：根据晶片的厚度，设计砂轮R角的角度，确定A1、A2面幅深度；将主、副定位边左右圆角半径在现基础上增大3倍以上，使主、副定位边左右的圆角半径由尖角变成圆角；粗倒角，采用目数≥1800目的砂轮进行粗倒角，砂轮进刀量控制在0.2-0.4mmmin，倒角圈数≥2圈；细倒角，采用目数≥6000目的砂轮进行细倒角，砂轮进刀量控制在0.2-0.4mmmin，倒角圈数≥2圈；细倒角后，先在日光灯下检查，晶片边缘均匀，没有崩边、缺口为合格；再在20倍轮廓仪显微镜下检测A1、A2面幅及R角精度与设计值之间误差在合理范围内为合格； S3、晶片倒角化学腐蚀； S4、晶片倒角机械抛光：在国产6B单面抛光机设备上，采用粒径≤100nm的研磨液，研磨液中加入氧化剂，制成PH≥8的抛光液，抛光机转盘上放入硬度≤40ShoreA的黑色阻尼抛光布，以手工固定晶片的方式将晶片立置，立置的晶片在抛光布上抛光，抛光机主盘转速≤5rmin，抛光液流量为100-200mlmin，通过手工转动晶片的方式对锑化镓晶片倒角处进行化学机械抛光60-120s，抛光后用高纯水冲洗干净并甩干；在日光灯下肉眼观察，晶片边缘细腻、均匀且发亮为合格； S5、晶片抛光：包括粗抛、中抛和精抛； S6、晶片清洗； S7、晶片甩干； S8、晶片检查； S9、晶片存放。

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