中国人民解放军国防科技大学胡广艳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利胶体光子晶体阵列芯片及构建方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120294909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510772063.7，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权胶体光子晶体阵列芯片及构建方法和应用是由胡广艳;欧钢;孙鹏跃;楼生强;黄仰博;于美婷;张书政;龚碧设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本胶体光子晶体阵列芯片及构建方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及微纳制造、光子功能材料与光电系统集成技术领域，公开了一种胶体光子晶体阵列芯片及构建方法和应用。胶体光子晶体阵列芯片的构建方法，包括以下步骤：制备颗粒粒径为200nm–400nm、单分散性的胶体光子晶体分散液；制作带有规则阵列腔体结构的芯片基底；将胶体光子晶体分散液分别注入芯片基底的规则阵列腔体结构的各个阵列腔体单元内；控制温湿环境，蒸发干燥，使胶体颗粒自组装成膜；在芯片基底表面设置柔性薄膜或玻璃层进行封装，形成结构稳定的光子晶体阵列芯片。具有组装精度高、色彩均匀性强、结构稳定性好等优点，可广泛适用于智能传感、光学标签、彩色显示及生物识别等场景。
本发明授权胶体光子晶体阵列芯片及构建方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种胶体光子晶体阵列芯片的构建方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、制备颗粒粒径为200nm–400nm、PDI0.1的单分散性的胶体光子晶体分散液； S200、制作带有规则阵列腔体结构的芯片基底，阵列腔体结构的直径为100μm-300μm，深度为10μm-100μm，纵横比为0.03-1； S300、将胶体光子晶体分散液分别注入芯片基底的规则阵列腔体结构的各个阵列腔体单元内； S400、在温度为40℃-60℃，相对湿度为30%-50%的条件下蒸发干燥，使胶体颗粒在各个阵列腔体单元内自组装成具有面心立方或六方密排结构的光子晶体薄膜； S500、在芯片基底表面设置柔性薄膜或玻璃层进行封装，封装方式为UV固化树脂、低温热熔胶或玻璃贴合，形成结构稳定的光子晶体阵列芯片。
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