中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司林熙获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910649548.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由林熙;王胜设计研发完成，并于2019-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成停止层；在所述停止层表面形成介电层；在所述介电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述停止层表面；对所述第一开口底部的停止层进行改性处理，形成改性层；去除所述改性层，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述衬底表面。所形成的半导体结构性能得到提高。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底表面形成停止层； 在所述停止层表面形成介电层； 在所述介电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述停止层表面； 对所述第一开口底部的停止层进行改性处理，形成改性层，所述改性层由所述停止层经过化学反应形成； 采用湿法刻蚀工艺去除所述改性层，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述衬底表面，所述改性层与所述停止层具有较大的刻蚀选择比，所述改性层与所述介电层具有较大的刻蚀选择比。
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