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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113316835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980089580.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法是由杨传曦;H·俞;S·卡玛斯;D·帕德希;H·金;E·李;黄祖滨;D·N·凯德拉亚;程睿;K·嘉纳基拉曼设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法在说明书摘要公布了：提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。

本发明授权用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成氮化硅硼层的方法，包括： 将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上； 将保持所述基板的基座加热到225℃至575℃的沉积温度； 将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入所述工艺区域，其中： 所述第一工艺气体的所述第一气流包括： 具有1sccm至500sccm的流率的硅烷； 具有10sccm至5000sccm的流率的氨； 具有500sccm至20000sccm的流率的氦； 具有5000sccm至25000sccm的流率的氮N2； 具有50sccm至10000sccm的流率的氩；以及 具有50sccm至20000sccm的流率的氢H2，并且 所述第二工艺气体的所述第二气流包括： 2摩尔百分比mol％至15mol％的乙硼烷； 85mol％至98mol％的氢H2；以及 1sccm至5000sccm的流率； 与到所述工艺区域的所述第一工艺气体的所述第一气流和所述第二工艺气体的所述第二气流同时形成等离子体；以及 将所述基板暴露于所述第一工艺气体、所述第二工艺气体和所述等离子体，以在所述基板上沉积所述氮化硅硼层。

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