福建兆元光电有限公司解向荣获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种HEMT外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111622098.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种HEMT外延片及其制备方法是由解向荣;吴永胜;刘恒山;马野设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种HEMT外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种HEMT外延片及其制备方法，在衬底上溅射氮化铝缓冲层，在氮化铝缓冲层上生长非掺杂氮化镓层，之后在非掺杂氮化镓层上循环溅射铝单层和氮化铝单层，在已循环溅射的外延片上生长N型铝镓氮层。因此在铝单层上溅射氮化铝单层能够提高键合能力，同时循环溅射铝单层和氮化铝单层能够避免使用单一氮化铝层而随着厚度增加带来的应力问题和迁移率低的问题，避免整个外延片的中心区域和边缘的质量相差增大，从而通过增加铝组分提高二维电子气浓度的同时，减少界面缺陷且不影响二维电子气迁移率。
本发明授权一种HEMT外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HEMT外延片制备方法，其特征在于，包括步骤： 在衬底上溅射氮化铝缓冲层； 在金属有机化合物化学气相沉积设备中，在所述氮化铝缓冲层上生长非掺杂氮化镓层； 将所述非掺杂氮化镓层在氨气和氮气的保护下进行退火处理，并转移出所述金属有机化合物化学气相沉积设备； 在所述非掺杂氮化镓层上循环溅射铝单层和氮化铝单层，所述铝单层在等离子体增强化学气相沉积内溅射，所述氮化铝单层在化学气相沉积内溅射； 在金属有机化合物化学气相沉积设备中，在已循环溅射的外延片上生长N型铝镓氮层。
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