深圳劲芯微电子有限公司邵礼斌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳劲芯微电子有限公司申请的专利一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法及改进结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114362515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210046909.5，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法及改进结构是由邵礼斌设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法及改进结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法，将NMOS管的B极与S极的短接断开；通过对所述B极进行低电平控制，使所述B极连通输入端VBUS和输出端Vout中低电平的一端。本发明能够在实现保护Fly电容短路过流和防止Vout倒灌功能的同时，省掉Q_BlockMOS管的功耗、减少系统发热。
本发明授权一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法及改进结构在权利要求书中公布了：1.一种多相位电荷泵的驱动电路改进方法，其特征在于，将电荷泵芯片驱动电路中多相位级联的NMOS管中，位于输入端VBUS和输出端Vout之间的衬底B与源极S连接在一起的NMOS管其中之一的B极与S极的短接断开，使B极与S极之间仍然相当于存在一个二极管；通过对所述B极进行低电平控制，使所述B极连通输入端VBUS和输出端Vout中低电平的一端； 所述低电平控制的方法包括：将所述B极通过一个二极管连接输入端VBUS，同时将所述B极通过另一个二极管连接输出端Vout；所述B极连接各二极管的正极； 或： 所述低电平控制的方法包括：设置一个连接输入端VBUS和输出端Vout的乒乓电路，所述乒乓电路选择输入端VBUS和输出端Vout中低电平的一端并连接至所述B极。
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