中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211415418.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;赵飞设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高环栅晶体管包括的沟道区中至少部分层纳米片的驱动能力，进而利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述半导体器件包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沟道区包括第一沟道部和第二沟道部。第一沟道部具有沿半导体基底的厚度方向间隔分布的至少两层纳米片。第二沟道部至少自第一沟道部的顶部向下贯穿至少一层纳米片。每层纳米片与半导体基底之间、以及第二沟道部与半导体基底之间具有空隙。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底， 有源结构，形成在所述半导体基底上；所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述沟道区包括第一沟道部和第二沟道部；所述第一沟道部具有沿所述半导体基底的厚度方向间隔分布的至少两层纳米片；所述第二沟道部至少自所述第一沟道部的顶部向下贯穿至少一层所述纳米片；每层所述纳米片与所述半导体基底之间、以及所述第二沟道部与所述半导体基底之间具有空隙； 栅堆叠结构，通过所述空隙环绕在所述沟道区的外周。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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