上海飞凯材料科技股份有限公司余亮获国家专利权
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龙图腾网获悉上海飞凯材料科技股份有限公司申请的专利减少光刻胶使用量的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116009359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211618295.X，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权减少光刻胶使用量的方法及其应用是由余亮;高晓义设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少光刻胶使用量的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种减少光刻胶使用量的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜；加热所述第一光刻胶湿膜，得到第一光刻胶层；通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷，得到第二光刻胶湿膜；加热所述第二光刻胶湿膜，得到第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层具有开孔；以及对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的叠加区域通过光掩膜版进行对准曝光，然后显影，以使显影后的所述第二光刻胶层和显影后的所述第一光刻胶层共同形成图形化光刻胶层，其中，所述图形化光刻胶层具有孔隙。本发明能够减少光刻胶的使用量。本发明还提供了一种所述的减少光刻胶使用量的方法在半导体先进封装制程中的应用。
本发明授权减少光刻胶使用量的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜； 加热所述第一光刻胶湿膜，得到第一光刻胶层； 通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷，得到第二光刻胶湿膜； 加热所述第二光刻胶湿膜，得到第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层具有开孔，部分所述第一光刻胶层暴露于所述开孔；以及 对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的叠加区域通过光掩膜版进行对准曝光，然后显影，以使显影后的所述第二光刻胶层和显影后的所述第一光刻胶层共同形成图形化光刻胶层，其中，所述图形化光刻胶层具有孔隙，且部分所述衬底暴露于所述孔隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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