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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510597540.0，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法是由李瑨;刘航;黄一凡;白博文;简劼;柏贺达设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法在说明书摘要公布了：本发明主要提出一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法，包括以下步骤：步骤1：衬底预处理，提供单晶耐高温衬底，对其进行表面预处理；步骤2：在衬底上通过磁控溅射沉积AlN薄膜；步骤3：对AlN薄膜进行Mg离子注入；步骤4：重复步骤2和步骤3直至达到目标AlN薄膜厚度；步骤5：对AlN多层薄膜进行退火处理。本发明有益效果在于可实现AlN的低温合成，降低生产成本，同时实现AlN高效、均匀的P型掺杂。

本发明授权一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法在权利要求书中公布了：1.一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：衬底预处理，选取单晶耐高温衬底，通过HF酸清洗去除表面氧化层，并进行超声清洗与脱水烘干； 步骤2：磁控溅射沉积AlN薄膜，将所述衬底置于磁控溅射设备中，在真空条件下通入Ar与N2混合气体，采用Al靶材进行反应溅射，合成AlN多晶薄膜； 步骤3：Mg离子注入，将沉积后的AlN薄膜转移至离子注入设备中，在真空条件下进行Mg离子注入，调节离子能量、束流强度及注入剂量； 步骤4：循环沉积与注入，重复所述步骤2及所述步骤3，直至达到目标AIN薄膜厚度； 步骤5：高温退火处理，将所述步骤4处理后的样品叠放于坩埚中，在N2气氛下进行退火，保温后随炉缓冷至室温； 所述步骤2中，磁控溅射设备的真空腔室真空度≤1×10⁻³Pa，Ar与N2混合气体流量比为10:1~5:1，Al靶材溅射功率为180~250W，工作气压0.4~0.5Pa，调控衬底温度为300～500℃； 所述步骤3中，离子注入设备真空度≤1×10-4Pa，加热温度为300~500℃，离子注入能量为50~200keV，束流强度为1~100mA，注入剂量为1.0×1013~1.0×1015个原子cm²。

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