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龙图腾网获悉华海清科股份有限公司申请的专利一种晶圆抛光方法、抛光装置和处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120170629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510662276.4，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种晶圆抛光方法、抛光装置和处理设备是由熊伟;张俊杰;王佩佩设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆抛光方法、抛光装置和处理设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆抛光方法、抛光装置和处理设备，晶圆抛光方法用于包括摩擦系数接近的第一层和第二层的目标层的去除，一次抛光过程包括第一抛光阶段及第二抛光阶段，包括：确定第一时间；确定晶圆在第二抛光阶段的材料去除量和材料去除率；计算第二时间；根据第二时间调整第一时间以获得第三时间；抛光当前晶圆，根据第三时间执行第一抛光阶段，和根据第二时间执行第二抛光阶段，以使得所述第二层达到目标厚度。本发明的抛光方法能提高特定晶圆的化学机械抛光效率和抛光精度。

本发明授权一种晶圆抛光方法、抛光装置和处理设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，包括用于去除摩擦系数接近的第一层和第二层的第一抛光阶段及第二抛光阶段，第一抛光阶段去除第一层的部分，第二抛光阶段去除第一层的剩余部分和第二层的部分，包括如下步骤： 将第一预定时间确定为第一片晶圆的第一时间，将前一片晶圆的第三时间确定为当前晶圆的第一时间，第一预定时间落入预定阈值范围； 在第一片晶圆的第一抛光阶段结束后，测量第一片晶圆的第一层的剩余部分的厚度，根据前一片晶圆的第一层的剩余部分的厚度确定当前晶圆的第一层的剩余部分的厚度，根据第一层的剩余部分的厚度确定晶圆在第二抛光阶段的材料去除量和材料去除率； 根据晶圆在第二抛光阶段的材料去除量和材料去除率计算第二时间； 根据第二时间调整第一时间以获得第三时间，包括：当第二时间落入预定阈值范围，第三时间等于第一时间，当第二时间未落入预定阈值范围，计算调整值，根据调整值与第一时间确定第三时间； 根据第三时间执行第一抛光阶段，根据第二时间执行第二抛光阶段，以使得第二层达到目标厚度； 所述计算调整值，根据调整值与第一时间确定第三时间，包括： 计算第二时间和第一预定时间的差值； 确定调整系数，调整系数与第一层的理论去除率、第二层的理论去除率、第一层的厚度、第二层的厚度、第一层的剩余部分的厚度、目标厚度、抛光垫的使用时间中的一个或多个相关联； 根据调整系数和差值确定调整值； 将调整值与第一时间相加的和作为第三时间。

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