中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司渠汇获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利生成物层的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910619393.7，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权生成物层的处理方法是由渠汇设计研发完成，并于2019-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本生成物层的处理方法在说明书摘要公布了：一种生成物层的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有介质层；刻蚀去除部分厚度所述介质层，在所述介质层顶部形成生成物层；提供溶解液，利用所述溶解液淋洗或浸泡所述生成物层，所述生成物层溶解于所述溶解液，以去除所述生成物层。本发明有助于提高去除所述生成物层的效率。
本发明授权生成物层的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种生成物层的处理方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有介质层，所述基底上还具有凸出于所述基底的鳍部，所述介质层覆盖所述鳍部的侧壁；所述鳍部的顶部覆盖有硬掩膜层；所述介质层的顶部与所述硬掩膜层的顶部齐平；所述鳍部的顶部与所述硬掩膜层之间还具有绝缘层； 采用干法刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度所述介质层，所述干法刻蚀工艺采用的气体与所述介质层反应，在剩余的所述介质层顶部形成生成物层；所述干法刻蚀工艺气体包括氮气，流动的氮气用于将部分所述生成物层吹离所述介质层的表面，以减少吸附于介质层的生成物层的含量； 提供溶解液，利用所述溶解液淋洗或浸泡所述生成物层、鳍部、绝缘层及硬掩膜层，所述生成物层溶解于所述溶解液，所述鳍部、绝缘层及硬掩膜层均难溶或不溶于所述溶解液，以去除所述生成物层； 去除所述生成物层后，还包括：提供清洗液，利用所述清洗液淋洗或浸泡所述介质层，以去除所述介质层和基底表面残留的溶解液。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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