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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利垂直型器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099912.X，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权垂直型器件的制作方法是由程凯设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直型器件的制作方法在说明书摘要公布了：一种垂直型器件的制作方法，首先自正面10a刻蚀GaN基半导体衬底10形成凹槽101；接着在凹槽101的底壁、侧壁以及半导体衬底正面10a依次形成P型半导体层11与N型半导体层12，P型半导体层11部分填充凹槽101；之后，平坦化N型半导体层12与P型半导体层11，且保留凹槽101内的P型半导体层11和N型半导体层12；再接着分别在半导体衬底正面10a的栅极区域形成栅极结构13、在栅极结构13的两侧形成源极14，以及在半导体衬底背面10b形成漏极15。避免刻蚀N型半导体层12以及P型半导体层11来制作栅极结构13，进而避免刻蚀深度难以精准控制导致的栅极结构13控制能力偏离预设计的控制能力，从而垂直型器件的性能可通过制作工艺精准可控。

本发明授权垂直型器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供GaN基半导体衬底10，所述半导体衬底10具有相对的正面10a与背面10b，自所述正面10a刻蚀所述半导体衬底10形成凹槽101； 在所述凹槽101的底壁、侧壁以及半导体衬底正面10a依次形成P型半导体层11与N型半导体层12，所述P型半导体层11部分填充所述凹槽101； 平坦化所述N型半导体层12与P型半导体层11，且保留所述凹槽101内的P型半导体层11和N型半导体层12； 分别形成栅极结构13、源极14以及漏极15；所述栅极结构13位于所述半导体衬底正面10a的栅极区域，所述源极14位于所述栅极结构13的两侧；所述漏极15位于所述半导体衬底背面10b； 其中，在所述凹槽101的底壁、侧壁以及半导体衬底正面10a依次形成P型半导体层11与N型半导体层12步骤中包括： 在所述凹槽101的所述底壁、所述侧壁以及所述半导体衬底正面10a沉积所述P型半导体层11，并在所述沉积的所述P型半导体层11上形成所述N型半导体层12，以避免刻蚀所述N型半导体层12以及所述P型半导体层11。

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