朗姆研究公司阿鲁尔·N·达斯获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于薄膜沉积的等离子体增强晶片浸泡获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113196449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083457.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于薄膜沉积的等离子体增强晶片浸泡是由阿鲁尔·N·达斯;李明;洪图设计研发完成，并于2019-10-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于薄膜沉积的等离子体增强晶片浸泡在说明书摘要公布了：公开了设备与方法，其用于将衬底提供到处理室中的衬底支撑件上；在所述处理室中产生惰性等离子体；以及维持所述惰性等离子体，以在从提供所述衬底到所述衬底支撑件上小于30秒内将所述衬底加热到稳定状态温度，其中所述稳定状态温度适于进行等离子体增强化学气相沉积PECVD。一种设备可包含：处理室；处理站，该处理站包括衬底支撑件；处理气体单元，该处理气体单元被设置成使惰性气体流动到由该衬底支撑件所支撑的衬底上；等离子体源，该等离子体源被设置成在该处理站中产生惰性等离子体；以及控制器，该控制器包括被设置成执行以下操作的指令：使该惰性气体流动到该衬底上；在第一处理站中产生该惰性等离子体；以及维持该惰性等离子体以由此加热该衬底。
本发明授权用于薄膜沉积的等离子体增强晶片浸泡在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理方法，其包含： 将衬底提供到处理室中的衬底支撑件上； 在所述处理室中产生惰性等离子体； 维持所述惰性等离子体，以在从提供所述衬底到所述衬底支撑件上小于30秒内将所述衬底加热到稳定状态温度，其中所述稳定状态温度适于进行等离子体增强化学气相沉积PECVD；以及 在所述衬底处于所述稳定状态温度时且在反应物等离子体在所述处理室中产生时，通过PECVD在所述衬底上沉积材料层， 其中所述沉积包含在维持所述惰性等离子体时，使反应物处理气体流动到所述衬底上，由此将所述惰性等离子体改变成所述反应物等离子体而不熄灭所述惰性等离子体， 其中： 加热所述衬底支撑件；并且 通过所述惰性等离子体与来自所述衬底支撑件的辐射的组合加热所述衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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