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龙图腾网获悉深圳市安邦信电子有限公司申请的专利低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111371339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010269293.9，技术领域涉及：H02M7/537；该发明授权低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路是由陈鹏程;李勇设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路在说明书摘要公布了：本发明公开了低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端。本发明使得输出至MCU的电压信号随着逆变输出信号的增大而增大，根据MOS管与输出电流的关系，MCU通过输出至MCU的电压信号，可计算出此时的输出电流，同时可控制PWM输出高低电平，保护MOS管因过电流损坏，省掉了电压型电流传感器或采用分流器，节约了设计空间，还降低了成本。

本发明授权低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路在权利要求书中公布了：1.低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端；所述第一电平信号输入端与第一驱动模块，及高电压阻断模块连接，所述第一开关模块与第一驱动模块连接，所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接，所述第二开关模块与第二驱动模块连接，所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块，及第二开关模块连接，所述第二输出端与高电压阻断模块连接；所述第一驱动模块包括电压输入端，电容C1，电容C2，二极管D1，电容C3，电容C4，电容C5，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，及三极管Q4；所述电容C1的1脚，电容C2的1脚，及二极管D1的阳极均与电压输入端连接，电容C1的2脚和电容C2的2脚接地，二极管D1的阴极与电容C3的1脚，电阻R3的2脚，电阻R4的1脚，三极管Q1的集电极，及三极管Q3的发射极连接，电容C3的2脚和电阻R3的1脚接地；电阻R4的2脚和三极管Q3的基极均与所述第一电平信号输入端连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极，电阻R8的2脚，及三极管Q4的基极连接，电阻R8的1脚和三极管Q4的集电极接地；三极管Q1的发射极与电阻R1是2脚连接，电阻R1的1脚与电阻R5的2脚，三极管Q2的发射极，电容C4的2脚，电阻R6的2脚，及电阻R2的1脚连接，三极管Q4的发射极与电阻R5的1脚，及三极管Q2的基极连接；三极管Q2的集电极，电容C4的1脚，及电阻R6的1脚均接地；电阻R2的2脚与电阻R7的1脚，及第一开关模块连接，电阻R7的2脚与电容C5的1脚连接，电容C5的2脚接地；所述二极管D1的型号为BAV21W；所述第一开关模块为绝缘栅双极型晶体管M1，所述绝缘栅双极型晶体管M1的栅极与电阻R2的2脚，及电阻R7的1脚连接，绝缘栅双极型晶体管M1的发射极与电池的正极连接，绝缘栅双极型晶体管M1的集电极与所述第二开关模块，高电压阻断模块，及第一输出端连接。

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