中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王彦获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010437587.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王彦;王胜设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在导电层上形成介质层；在所述介质层内形成暴露出所述导电层顶部表面的第一开口，且所述第一开口沿垂直于第一开口侧壁方向上具有第一尺寸；刻蚀所述第一开口底部暴露出的导电层，在所述导电层内形成初始第二开口；对所述初始第二开口侧壁和底部暴露出的导电层进行至少一次改性刻蚀处理，在所述导电层内形成第二开口，所述第二开口沿垂直于第二开口侧壁方向上具有第二尺寸，且所述第二尺寸大于第一尺寸。所述方法能够提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 在导电层上形成介质层； 在所述介质层内形成暴露出所述导电层顶部表面的第一开口，且所述第一开口沿垂直于第一开口侧壁方向上具有第一尺寸； 刻蚀所述第一开口底部暴露出的导电层，在所述导电层内形成初始第二开口，包括：对所述第一开口底部暴露出的导电层进行改性处理，形成第二过渡层；去除所述第二过渡层，在所述导电层内形成所述初始第二开口； 对所述初始第二开口侧壁和底部暴露出的导电层进行至少一次改性刻蚀处理，在所述导电层内形成第二开口，所述第一开口底部暴露出所述第二开口；所述第二开口的底部及侧壁均暴露出所述导电层；所述第二开口沿垂直于第二开口侧壁方向上具有第二尺寸，且所述第二尺寸大于第一尺寸；所述第二尺寸大于第一尺寸的范围为8纳米至20纳米。
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